Cyfleusterau Uwch Cynhyrchu EffeithlonY sglodyn yw cydran graidd y LED. Ar hyn o bryd, mae yna lawer o weithgynhyrchwyr sglodion LED gartref a thramor, ond nid oes safon unffurf ar gyfer dosbarthu sglodion. Os cânt eu dosbarthu yn ôl pŵer, mae pŵer uchel a phwer canolig a bach; os caiff ei ddosbarthu yn ôl lliw, mae'n goch, gwyrdd a glas yn bennaf; Wedi'i ddosbarthu yn ôl siâp, wedi'i rannu'n gyffredinol yn ddarnau sgwâr, wafferi; os caiff ei ddosbarthu yn ôl foltedd, fe'i rhennir yn sglodion DC foltedd isel a sglodion DC foltedd uchel. O ran cymharu technolegau sglodion gartref a thramor, mae technoleg sglodion tramor yn newydd, ac nid yw cynhyrchu sglodion domestig yn drwm.
Mae deunydd swbstrad a thechnoleg twf afrlladen yn allweddol
Ar hyn o bryd, yr allwedd i ddatblygiad technoleg sglodion LED yw deunyddiau swbstrad a thechnoleg twf wafer. Yn ogystal â saffir traddodiadol, mae deunyddiau swbstrad silicon (Si), carbid silicon (SiC), sinc ocsid (ZnO) a gallium nitride (GaN) hefyd yn ganolbwynt i ymchwil sglodion LED cyfredol. Ar hyn o bryd, mae'r rhan fwyaf o'r swbstradau saffir neu silicon carbid sydd ar gael yn fasnachol yn cael eu defnyddio i dyfu epitaxially gallium nitride lled-ddargludyddion bandgap llydan. Mae'r ddau ddeunydd yn ddrud iawn ac yn cael eu monopoli gan gwmnïau tramor mawr, ac mae pris swbstradau silicon yn uwch na phris saffir a charboniad. Mae swbstradau silicon yn rhatach o lawer, gan wneud swbstradau mwy a chynyddu'r defnydd o MOCVD, a thrwy hynny gynyddu'r cynnyrch marw. Felly, er mwyn torri trwy rwystrau patent rhyngwladol, dechreuodd sefydliadau ymchwil Tsieineaidd a chwmnïau LED ymchwil ar ddeunyddiau swbstrad silicon.
Fodd bynnag, y broblem yw bod y cyfuniad o ansawdd uchel o silicon a gallium nitride yn anhawster technegol i'r sglodyn LED. Mae problemau technegol dwysedd nam uchel a chrac a achosir gan y diffyg cyfatebiaeth fawr rhwng cysonyn y dellt a chyfernod ehangu thermol y ddau wedi rhwystro'r maes sglodion ers amser maith. datblygu.
Heb os, o safbwynt y swbstrad, mae'r swbstrad prif ffrwd yn dal i fod yn saffir a carbid silicon, ond mae silicon wedi dod yn duedd datblygu'r maes sglodion yn y dyfodol. Ar gyfer Tsieina, lle mae'r rhyfel prisiau yn gymharol ddifrifol, mae gan y swbstrad silicon fwy o fanteision cost a phris: mae'r swbstrad silicon yn swbstrad dargludol, sydd nid yn unig yn lleihau'r ardal farw, ond hefyd yn dileu cam ysgythru sych yr haen epitaxial gallium nitride . Yn ogystal, mae gan silicon galedwch is na carbid saffir a silicon, a gall hefyd arbed rhai costau wrth brosesu.
Ar hyn o bryd, mae'r diwydiant LED wedi'i seilio'n bennaf ar swbstradau saffir 2 neu 4 modfedd. Os gellir defnyddio technoleg GaN sy'n seiliedig ar silicon, gellir arbed o leiaf 75% o gost deunydd crai. Yn ôl amcangyfrifon gan Sanken Electric Co. o Japan, mae cost cynhyrchu LEDau galiwm glas-GaN maint mawr gan ddefnyddio swbstradau silicon 90% yn is na chostau swbstradau saffir a swbstradau carbid silicon.
Technolegau sglodion gwahanol gartref a thramor
Mewn gwledydd tramor, mae Osram, Puri, Japan a chwmnïau blaenllaw eraill wedi torri tir newydd yn yr ymchwil i LEDau maint mawr sy'n seiliedig ar GaN sy'n seiliedig ar silicon. Mae Philips, Samsung De Korea, LG, Toshiba Japan a chewri LED rhyngwladol eraill hefyd wedi cychwyn ffyniant ymchwil LEDs sy'n seiliedig ar GaN ar swbstradau silicon. Yn eu plith, yn 2011, datblygodd Puri LED effeithlonrwydd uchel wedi'i seilio ar GaN ar swbstrad silicon 8 modfedd, gan gyflawni effeithlonrwydd goleuol sy'n debyg i ddyfais LED lefel uchaf ar swbstradau carbid saffir a silicon o 160 lm / W. Yn 2012, llwyddodd OSRAM i gynhyrchu LED 6-modfedd silicon-ar-silicon gallium.
Mewn cyferbyniad, ar dir mawr Tsieina, pwynt arloesol technoleg menter sglodion LED yn bennaf yw gwella gallu cynhyrchu a thechnoleg twf grisial saffir maint mawr, yn ychwanegol at gynhyrchu sglodion LED pŵer uchel o swbstrad silicon 2 fodfedd GaN yn llwyddiannus. Sglodion LED wedi'u seilio ar sail yn 2011. Nid yw cwmnïau sglodion Tsieineaidd wedi gwneud unrhyw ddatblygiadau mawr yn yr ymchwil i LEDau sy'n seiliedig ar GaN ar swbstradau silicon. Ar hyn o bryd, mae cwmnïau sglodion LED yn Tsieina yn dal i ganolbwyntio ar gapasiti cynhyrchu, deunyddiau swbstrad saffir a thechnoleg twf wafer. Sanan Optoelectroneg, Dehao Runda, Tongfang Mae'r rhan fwyaf o gewri sglodion y tir mawr hefyd wedi torri tir newydd o ran gallu cynhyrchu.